Kinshasa, RDC – L’investiture du président Félix Tshisekedi, réélu pour un second mandat en République démocratique du Congo, s’annonce comme un événement diplomatique majeur, attirant l’attention de plus de 20 chefs d’État du monde entier. Prévu pour le 20 janvier, cet événement marque le retour international du président Tshisekedi avec éclat.
Bien que la présidence congolaise n’ait pas publié la liste officielle des invités, des sources fiables des Affaires étrangères et de la présidence indiquent qu’au moins une quarantaine de délégations ont reçu des invitations, dont une vingtaine de chefs d’État et de gouvernement.
Jusqu’à la dernière minute, la confirmation de la présence des chefs d’État des pays membres de la Communauté des États de l’Afrique Australe (SADC) est attendue, totalisant 15 dirigeants. Les pays de la Communauté d’Afrique de l’Est ont également exprimé leur accord de principe pour être représentés par leurs chefs d’État respectifs, bien que le Kenya et le Rwanda n’aient pas encore officialisé leur participation.
Parmi les dirigeants confirmés, le président Denis Sassou Nguesso de l’Afrique centrale a accepté de faire le déplacement jusqu’au stade des Martyrs de Kinshasa pour l’événement. De même, le président du Sénégal et Faure Gnassigbé du Togo sont presque certains de participer à la cérémonie.
Comparativement aux investitures précédentes en 2011 et 2018, où la présence des chefs d’État étrangers était limitée, l’édition de 2023 se distingue par une liste d’invités plus diversifiée et évolutive. Un diplomate congolais expérimenté, fort de 54 ans de service, s’est réjoui de cette participation exceptionnelle, soulignant que « la RDC va signer son grand retour » sur la scène internationale.
Même les États-Unis, qui traditionnellement délèguent leur ambassadeur, ont décidé d’envoyer une délégation officielle depuis Washington, marquant ainsi un intérêt particulier pour l’événement. Cette décision inhabituelle témoigne de l’importance accordée à l’investiture du président Tshisekedi.
La Rédaction

